6月23日，中國電科院配電研究所的韓篩根副主任，蒞臨金萊勒電氣參觀調(diào)研，與金萊勒技術(shù)團(tuán)隊交流探討。
韓主任此行的主要目的，是為了與各電氣廠家，交流“國網(wǎng)綜合配電箱標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計方案”中，熔斷器式隔離開關(guān)的溫升問題。
韓主任講到解決綜合配電箱（JP柜）溫升的思路與方法：
一是開源。
對于如何開源？韓主任提到，如：在滿足IP44防護(hù)等級要求的前提下，增加散熱能力。
二是節(jié)流
對于如何節(jié)流？韓主任提到，目前JP柜配電方案，進(jìn)線刀熔，饋出為帶漏電的斷路器，部分方案帶SVG和智能化電容，配電方案中的熱源主要是由熔斷器隔離開關(guān)、帶漏電保護(hù)的塑殼斷路器（重合閘）、智能電容。
對于熔斷器式隔離開關(guān)如何解決溫升問題？
1、在滿足安秒特性的前題下，降低熔斷器的功耗；
2、優(yōu)化開關(guān)結(jié)構(gòu)；
3、熔斷器的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新等。
我司技術(shù)人員也對熔斷器式隔離開關(guān)的試驗情況做了介紹。就溫升試驗的環(huán)境溫度、熱電偶的敷設(shè)、不同鍍層的溫升判定等，同韓主任進(jìn)行交流。
結(jié)束后，韓主任參觀了我司的生產(chǎn)車間、實驗室，并提出了寶貴建議。
